Composant de commutation pour électronique industrielle de puissance
Le module IGBT SKM300GB123D se positionne comme l'élément central des dispositifs de contrôle de l'énergie électrique. Utilisé principalement pour la modulation de largeur d'impulsion, ce semi-conducteur supporte des tensions allant jusqu'à 1200V. En associant la rapidité du transistor MOS et la capacité de courant du transistor bipolaire, le modèle SKM400GB12T4 répond aux cahiers des charges les plus stricts des bureaux d'études.
Optimisation des systèmes de conversion d'énergie
Que ce soit pour un pont en H ou un onduleur triphasé, la configuration de ces modules facilite le câblage et limite les inductances parasites. Les concepteurs de systèmes de chauffage par induction ou d'alimentations de secours trouvent ici une brique technologique fiable pour assembler des équipements à fort rendement.
Caractéristiques électriques clés
- Tension VCES : 1200 V pour une isolation thermique et électrique de sécurité.
- Technologie Tranchée (Trench) : Réduction de la traînée de courant à l'ouverture.
- Boîtier isolé : Semelle en cuivre isolée électriquement pour un montage direct sur radiateur.
